工作電壓	12
輸出功率	80
用途	太陽能蓄電池
品牌	瑋麗寶
型號	ABM蓄電池
化學類型	微晶硅薄膜型太陽電池

太陽能電池的工作原理基礎是：半導體p-n緒的光生伏打效應。所謂光生伏打效應，簡言之**是當物體受到光照時，物體內的電荷分布狀態發生變化而產生電動勢和電流的一種效應。當太陽光或其他光照射半導體p-n結時**會在p-n結的兩邊出現電壓，叫光生電壓。使p-n結短路**會產生電流。

 
單晶硅的原子是接照一定的規律排列的。硅原子的外層電子亮層中有4個電子，如圖l所示。
 
每個原子的外層電子都有固定的位置，并受原子核的約束。它們在外來能量的激發下，如在太陽光輻射時**會擺脫原子核的束縛而成為自由電子，并同時在它原來的地方留出一個空位，即半導體物理學中所謂的"空穴"。由于電子帶負電，空穴**表現為帶正電。電子和空穴**是單晶硅中可以運動的電荷。在純凈的硅晶體中，自由電子和空穴的數目是相等的。如果在晶體硅中摟入能夠俘獲電子的棚、鋁、嫁或錮等雜質元素，那么它**成為空穴型半導體，簡稱p型半導體。如果有硅晶體中摻入能夠釋放電子的磷、碑或錦等雜質元素，那么它**成了電子型的半導體，簡稱n型半導體。若把這兩種半導體結合在一起，由于電子和空穴的擴散，在交界面處便會形成p-n結，并在結的兩邊形成內建電場，又稱勢壘電場。由于此處電阻特別高，所以也稱為阻擋層。當太陽光照射p-n結時，在半導體內的電子由于獲得了光能而釋放電子，相應地便產生了電子一一空穴對，并在勢壘電場的作用下，電子被驅向n型區，空穴被驅向p型區，從而使n區有過剩的電子，p區有過剩的空穴;于是**在p-n結的附近形成了與勢壘電場方向相反的光生電場，如下圖2所示。
 
光生電場的一部分抵消勢壘電場，其余部分使p型區帶正電，n型區帶負電;于是**使得在n區與p區之間的薄層產生了電動勢，即光生伏打電動勢。接通電路時便有電能輸出。這**是p-n結接觸型單晶硅太陽能電池發電的基本原理。若把幾十個、數百個太陽能電池單體串聯、并連起來，組成太陽能電池組體，在太陽光的照射下，便可獲得相當可觀的輸出功率的電能。

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