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項目（一）

太陽能級多晶硅等級指標（一）

1級品

2級品

3級品

基磷電阻率，Ω·cm

≥100

≥40

≥20

基硼電阻率，Ω·cm

≥500

≥200

≥100

少數載流子壽命，μs

≥100

≥50

≥30

氧濃度，atoms/cm3

≤1.0×1017

≤1.0×1017

≤1.5×1017

碳濃度，atoms/cm3

≤2.5×1016

≤4.0×1016

≤4.5×1016

項目（二）

太陽能級多晶硅等級指標（二）

1級品

2級品

3級品

施主雜質濃度ppba

≤1.5

≤5.4

≤50.4

受主雜質濃度ppba

≤0.5

≤2.7

≤27

基體金屬雜質，ppmw

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)總金屬雜質含量：≤0.05

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)總金屬雜質含量：≤0.1

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)總金屬雜質含量：≤0.2

注：

1，基體金屬雜質檢測可采用二次離子質譜、等離子體質譜和中子活化分析，由供需雙方協商解決。

2，每個等級的產品應該同時滿足本等級的要求，若某項超出指標，則降為下一級。

3, 3級品主要應用于多晶硅錠的生產。